Effect of the Epitaxial Layer Features on the Reliability of Medium Blocking Voltage Power VDMOSFET during Heavy Ion Exposure

Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata; Candelori, A.; Curr, G.; Cascio, A.; Frisina, F.; Cavagnoli, A.

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Effect of the Epitaxial Layer Features on the Reliability of Medium Blocking Voltage Power VDMOSFET during Heavy Ion Exposure / F. VELARDI; F. IANNUZZO; G. BUSATTO; J. WYSS; A. SANSEVERINO; A. CANDELORI; G. CURR; A. CASCIO; F. FRISINA; A. CAVAGNOLI. - (2003).

Titolo:	Effect of the Epitaxial Layer Features on the Reliability of Medium Blocking Voltage Power VDMOSFET during Heavy Ion Exposure
Autori:	VELARDI, Francesco IANNUZZO, Francesco BUSATTO, Giovanni WYSS, JEFFERY SANSEVERINO, Annunziata A. CANDELORI G. CURR A. CASCIO F. FRISINA A. CAVAGNOLI mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2003
Handle:	http://hdl.handle.net/11580/6258
Appare nelle tipologie:	4.1 Contributo in Atti di convegno

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