Effect of the Epitaxial Layer Features on the Reliability of Medium Blocking Voltage Power VDMOSFET during Heavy Ion Exposure / F. VELARDI; F. IANNUZZO; G. BUSATTO; J. WYSS; A. SANSEVERINO; A. CANDELORI; G. CURR; A. CASCIO; F. FRISINA; A. CAVAGNOLI. - (2003).
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Titolo: | Effect of the Epitaxial Layer Features on the Reliability of Medium Blocking Voltage Power VDMOSFET during Heavy Ion Exposure |
Autori: | |
Data di pubblicazione: | 2003 |
Handle: | http://hdl.handle.net/11580/6258 |
Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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