BUSATTO, Giovanni

BUSATTO, Giovanni  

Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell'Informazione "Maurizio Scarano"  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
A 3-D Simulation Study about SEGR in Medium Voltage Power MOSFET 1-gen-2008 A., Porzio; Velardi, Francesco; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Currò
A 3-D Simulation Study about Single Event Gate Damage in Medium Voltage Power MOSFET 1-gen-2008 A., Porzio; Velardi, Francesco; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Currò
A circuit model for GTOs based on lumped charge approach 1-gen-1998 Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni
A general methodology for circuit simulation of high-voltage power devices 1-gen-2000 Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni
A lumped charge model for GTOs suitable for circuit simulation 1-gen-1999 Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni
A new test methodology for an exhaustive study of single-event-effects on power MOSFETs 1-gen-2011 Busatto, Giovanni; D., Bisello; G., Currò; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; L., Silvestrin; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery
A non-destructive technique for magnetic imaging of current distributions inside power modules 1-gen-2000 Pepe, G. P.; Ruosi, A.; Valentino, M.; Peluso, G.; Busatto, Giovanni; Migliore, Marco Donald
A non-destructive technique for magnetic imaging of current distributions inside power modules 1-gen-1999 Pepe, G. P.; Busatto, Giovanni; Ruosi, A.; Valentino, M.; Peluso, G.
A Novel Experimental Set-Up for Detecting Gate Leakage Current Increase During Heavy Ions Exposure of Power MOSFETs 1-gen-2007 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; A., Cascio; G., Curr; F., Frisina
A time-resolved IBICC experiment using the IEEM of the SIRAD facility 1-gen-2012 L., Silvestrin; D., Bisello; Busatto, Giovanni; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery
An accurate switching current measurement based on resistive shunt applied to short circuit gan hemt characterization 1-gen-2021 Abbate, C.; Colella, L.; Di Folco, R.; Busatto, G.; Martano, E.; Palazzo, S.; Sanseverino, A.; Velardi, F.
Activation of parasitic bipolar transistor during reverse recovery of MOSFET’s intrinsic diode 1-gen-1997 Busatto, Giovanni; Persiano, G. V.; Strollo, A.; Spirito, P.
Advanced RBSOA Analysis for Advanced Power BJT's 1-gen-1996 Busatto, Giovanni; L., Fratelli; A., Patti
An Experimental Classification of Drain and Gate Current Pulses in Low-Voltage Power MOSFETs During Radiation Exposure 1-gen-2002 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata
An Integrated milli-metric Cell Actuator: Design and Test 1-gen-2001 Busatto, Giovanni; DI STEFANO, Roberto; M., Scarano
An On-Chip Non Invasive Integrated Current Sensing 1-gen-2002 Busatto, Giovanni; R., LA CAPRUCCIA; Iannuzzo, Francesco; Velardi, Francesco; R., Roncella
An On-Chip Non Invasive Integrated Current Sensing 1-gen-2002 Busatto, Giovanni; La, Capruccia; Iannuzzo, Velardi; Roncella,
An original approach to study the charge generation mechanisms in Power MOSFETs during heavy ions exposure 1-gen-2004 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; G., Curr; A., Cascio; F., Frisina; A., Candelori
Analysis and Optimisation through Innovative Driving Strategies of High Power IGBT Performances/EMI Reduction Trade-off for Converter Systems in Railway Applications 1-gen-2004 Busatto, Giovanni; Fratelli, L.; C., Abbate; R., Manzo
Analysis and optimisation through innovative driving strategy of high power IGBT performances/EMI reduction trade-off for converter systems in railway applications 1-gen-2004 Busatto, Giovanni; L., Fratelli; Abbate, Carmine; R., Manzo; Iannuzzo, Francesco