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BUSATTO, Giovanni

BUSATTO, Giovanni  

Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell'Informazione "Maurizio Scarano"  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
A 3-D Simulation Study about SEGR in Medium Voltage Power MOSFET 1-gen-2008 A., Porzio; Velardi, Francesco; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Currò
A 3-D Simulation Study about Single Event Gate Damage in Medium Voltage Power MOSFET 1-gen-2008 A., Porzio; Velardi, Francesco; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Currò
A circuit model for GTOs based on lumped charge approach 1-gen-1998 Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni
A general methodology for circuit simulation of high-voltage power devices 1-gen-2000 Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni
A Hybrid Modulation Technique for Voltage Regulation in LLC Converters in the Presence of Transformer Parasitic Capacitance 1-gen-2022 Palazzo, Simone; Busatto, Giovanni; De Santis, Enzo; Giacomobono, Roberto; Di Ruzza, Dario; Panariello, Giuseppe
A lumped charge model for GTOs suitable for circuit simulation 1-gen-1999 Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni
A new test methodology for an exhaustive study of single-event-effects on power MOSFETs 1-gen-2011 Busatto, Giovanni; D., Bisello; G., Currò; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; L., Silvestrin; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery
A non-destructive technique for magnetic imaging of current distributions inside power modules 1-gen-1999 Pepe, G. P.; Busatto, Giovanni; Ruosi, A.; Valentino, M.; Peluso, G.
A non-destructive technique for magnetic imaging of current distributions inside power modules 1-gen-2000 Pepe, G. P.; Ruosi, A.; Valentino, M.; Peluso, G.; Busatto, Giovanni; Migliore, Marco Donald
A Novel Experimental Set-Up for Detecting Gate Leakage Current Increase During Heavy Ions Exposure of Power MOSFETs 1-gen-2007 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; A., Cascio; G., Curr; F., Frisina
A Novel Modulation Technique for Pulsating DC Link Multistage Converter with Zero Voltage Transition Based on Different and Unrelated Switching Frequencies 1-gen-2021 Marciano, D.; Palazzo, S.; Abbate, C.; Busatto, G.; Sanseverino, A.; Tedesco, D.; Velardi, F.
A Simple and Low Cost Overcurrent Protection System Based on Commercial Shunt for Wide-Bandgap Devices 1-gen-2024 Martano, Emanuele; Pascal, Yoann; Liserre, Marco; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata
A Simple Thermal Model for Junction and Hot Spot Temperature Estimation of 650 V GaN HEMT during Short Circuit 1-gen-2024 Palazzo, S.; Sanseverino, A.; Canale Parola, G.; Martano, E.; Velardi, F.; Busatto, G.
A time-resolved IBICC experiment using the IEEM of the SIRAD facility 1-gen-2012 L., Silvestrin; D., Bisello; Busatto, Giovanni; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery
Activation of parasitic bipolar transistor during reverse recovery of MOSFET’s intrinsic diode 1-gen-1997 Busatto, Giovanni; Persiano, G. V.; Strollo, A.; Spirito, P.
Advanced RBSOA Analysis for Advanced Power BJT's 1-gen-1996 Busatto, Giovanni; L., Fratelli; A., Patti
All‐SiC 99.4%‐efficient three‐phase T‐type inverter with DC‐side common‐mode filter 1-gen-2023 Anderson, Jon Azurza; Marciano, Daniele; Huber, Jonas; Deboy, Gerald; Busatto, Giovanni; Kolar, Johann W.
An accurate switching current measurement based on resistive shunt applied to short circuit gan hemt characterization 1-gen-2021 Abbate, C.; Colella, L.; Di Folco, R.; Busatto, G.; Martano, E.; Palazzo, S.; Sanseverino, A.; Velardi, F.
An Experimental Classification of Drain and Gate Current Pulses in Low-Voltage Power MOSFETs During Radiation Exposure 1-gen-2002 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata
An Integrated milli-metric Cell Actuator: Design and Test 1-gen-2001 Busatto, Giovanni; DI STEFANO, Roberto; M., Scarano