VELARDI, Francesco
VELARDI, Francesco
Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell'Informazione "Maurizio Scarano"
A 3-D Simulation Study about SEGR in Medium Voltage Power MOSFET
2008-01-01 A., Porzio; Velardi, Francesco; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Currò
A 3-D Simulation Study about Single Event Gate Damage in Medium Voltage Power MOSFET
2008-01-01 A., Porzio; Velardi, Francesco; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Currò
A new test methodology for an exhaustive study of single-event-effects on power MOSFETs
2011-01-01 Busatto, Giovanni; D., Bisello; G., Currò; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; L., Silvestrin; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery
A Novel Experimental Set-Up for Detecting Gate Leakage Current Increase During Heavy Ions Exposure of Power MOSFETs
2007-01-01 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; A., Cascio; G., Curr; F., Frisina
A Novel Modulation Technique for Pulsating DC Link Multistage Converter with Zero Voltage Transition Based on Different and Unrelated Switching Frequencies
2021-01-01 Marciano, D.; Palazzo, S.; Abbate, C.; Busatto, G.; Sanseverino, A.; Tedesco, D.; Velardi, F.
A Simple Thermal Model for Junction and Hot Spot Temperature Estimation of 650 V GaN HEMT during Short Circuit
2024-01-01 Palazzo, S.; Sanseverino, A.; Canale Parola, G.; Martano, E.; Velardi, F.; Busatto, G.
A time-resolved IBICC experiment using the IEEM of the SIRAD facility
2012-01-01 L., Silvestrin; D., Bisello; Busatto, Giovanni; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery
An accurate switching current measurement based on resistive shunt applied to short circuit gan hemt characterization
2021-01-01 Abbate, C.; Colella, L.; Di Folco, R.; Busatto, G.; Martano, E.; Palazzo, S.; Sanseverino, A.; Velardi, F.
An Experimental Classification of Drain and Gate Current Pulses in Low-Voltage Power MOSFETs During Radiation Exposure
2002-01-01 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata
An On-Chip Non Invasive Integrated Current Sensing
2002-01-01 Busatto, Giovanni; R., LA CAPRUCCIA; Iannuzzo, Francesco; Velardi, Francesco; R., Roncella
An original approach to study the charge generation mechanisms in Power MOSFETs during heavy ions exposure
2004-01-01 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; G., Curr; A., Cascio; F., Frisina; A., Candelori
Analysis of Current in Pulsating DC Link Converter with Zero Voltage Transition
2020-01-01 Marciano, Daniele; Busatto, Giovanni; Abbate, Carmine; Sanseverino, Annunziata; Tedesco, Davide; Velardi, Francesco
Analysis of Heavy Ion Irradiation Induced Thermal Damage in SiC Schottky Diodes
2015-01-01 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Cova, P.; Delmonte, N.; Giuliani, F.; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Analysis of Low- and High-Frequency Oscillations in IGBTs During Turn-ON Short Circuit
2015-01-01 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Ronsisvalle, Cesare
Behavior of power MOSFETs during heavy ions irradiation performed after γ-rays exposure
2012-01-01 Busatto, Giovanni; DE LUCA, Valentina; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Characterisation of High-Voltage IGBT Modules at High Temperature and High Currents
2003-01-01 Busatto, Giovanni; Abbate, C.; Cascone, B.; Manzo, R.; Fratelli, L.; Giannini, G.; Iannuzzo, Francesco; Velardi, Francesco
Charge generation mechanisms in low-voltage power MOSFETs during radiation exposure
2003-01-01 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; A., Candelori
Cosmic ray effects on power MOSFET
2004-01-01 Busatto, Giovanni; A., Cascio; G., Curro'; F., Frisina; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Design and realization of a 200 A low-cost high-side switch for automotive applications
2023-01-01 Sanseverino, Annunziata; Abbate, Carmine; Colella, Lucio; Di Folco, Roberto; Martano, Emanuele; Velardi, Francesco
Developments on DC/DC converters for the LHC experiment upgrades
2014-01-01 Abbate, Carmine; M., Alderighi; S., Baccaro; Busatto, Giovanni; M., Citterio; P., Cova; Belmonte, N.; V., De Luca; S., Fiore; S., Gerardin; E., Ghisolfi; F., Giuliani; Iannuzzo, Francesco; A., Lanza; S., Latorre; M., Lazzaroni; G., Meneghesso; A., Paccagnella; F., Rampazzo; M., Riva; Sanseverino, Annunziata; R., Silvestri; G., Spiazzi; Velardi, Francesco; E., Zanoni
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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A 3-D Simulation Study about SEGR in Medium Voltage Power MOSFET | 1-gen-2008 | A., Porzio; Velardi, Francesco; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Currò | |
A 3-D Simulation Study about Single Event Gate Damage in Medium Voltage Power MOSFET | 1-gen-2008 | A., Porzio; Velardi, Francesco; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Currò | |
A new test methodology for an exhaustive study of single-event-effects on power MOSFETs | 1-gen-2011 | Busatto, Giovanni; D., Bisello; G., Currò; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; L., Silvestrin; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery | |
A Novel Experimental Set-Up for Detecting Gate Leakage Current Increase During Heavy Ions Exposure of Power MOSFETs | 1-gen-2007 | Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; A., Cascio; G., Curr; F., Frisina | |
A Novel Modulation Technique for Pulsating DC Link Multistage Converter with Zero Voltage Transition Based on Different and Unrelated Switching Frequencies | 1-gen-2021 | Marciano, D.; Palazzo, S.; Abbate, C.; Busatto, G.; Sanseverino, A.; Tedesco, D.; Velardi, F. | |
A Simple Thermal Model for Junction and Hot Spot Temperature Estimation of 650 V GaN HEMT during Short Circuit | 1-gen-2024 | Palazzo, S.; Sanseverino, A.; Canale Parola, G.; Martano, E.; Velardi, F.; Busatto, G. | |
A time-resolved IBICC experiment using the IEEM of the SIRAD facility | 1-gen-2012 | L., Silvestrin; D., Bisello; Busatto, Giovanni; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery | |
An accurate switching current measurement based on resistive shunt applied to short circuit gan hemt characterization | 1-gen-2021 | Abbate, C.; Colella, L.; Di Folco, R.; Busatto, G.; Martano, E.; Palazzo, S.; Sanseverino, A.; Velardi, F. | |
An Experimental Classification of Drain and Gate Current Pulses in Low-Voltage Power MOSFETs During Radiation Exposure | 1-gen-2002 | Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata | |
An On-Chip Non Invasive Integrated Current Sensing | 1-gen-2002 | Busatto, Giovanni; R., LA CAPRUCCIA; Iannuzzo, Francesco; Velardi, Francesco; R., Roncella | |
An original approach to study the charge generation mechanisms in Power MOSFETs during heavy ions exposure | 1-gen-2004 | Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; G., Curr; A., Cascio; F., Frisina; A., Candelori | |
Analysis of Current in Pulsating DC Link Converter with Zero Voltage Transition | 1-gen-2020 | Marciano, Daniele; Busatto, Giovanni; Abbate, Carmine; Sanseverino, Annunziata; Tedesco, Davide; Velardi, Francesco | |
Analysis of Heavy Ion Irradiation Induced Thermal Damage in SiC Schottky Diodes | 1-gen-2015 | Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Cova, P.; Delmonte, N.; Giuliani, F.; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco | |
Analysis of Low- and High-Frequency Oscillations in IGBTs During Turn-ON Short Circuit | 1-gen-2015 | Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Ronsisvalle, Cesare | |
Behavior of power MOSFETs during heavy ions irradiation performed after γ-rays exposure | 1-gen-2012 | Busatto, Giovanni; DE LUCA, Valentina; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco | |
Characterisation of High-Voltage IGBT Modules at High Temperature and High Currents | 1-gen-2003 | Busatto, Giovanni; Abbate, C.; Cascone, B.; Manzo, R.; Fratelli, L.; Giannini, G.; Iannuzzo, Francesco; Velardi, Francesco | |
Charge generation mechanisms in low-voltage power MOSFETs during radiation exposure | 1-gen-2003 | Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; A., Candelori | |
Cosmic ray effects on power MOSFET | 1-gen-2004 | Busatto, Giovanni; A., Cascio; G., Curro'; F., Frisina; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco | |
Design and realization of a 200 A low-cost high-side switch for automotive applications | 1-gen-2023 | Sanseverino, Annunziata; Abbate, Carmine; Colella, Lucio; Di Folco, Roberto; Martano, Emanuele; Velardi, Francesco | |
Developments on DC/DC converters for the LHC experiment upgrades | 1-gen-2014 | Abbate, Carmine; M., Alderighi; S., Baccaro; Busatto, Giovanni; M., Citterio; P., Cova; Belmonte, N.; V., De Luca; S., Fiore; S., Gerardin; E., Ghisolfi; F., Giuliani; Iannuzzo, Francesco; A., Lanza; S., Latorre; M., Lazzaroni; G., Meneghesso; A., Paccagnella; F., Rampazzo; M., Riva; Sanseverino, Annunziata; R., Silvestri; G., Spiazzi; Velardi, Francesco; E., Zanoni |