VELARDI, Francesco

VELARDI, Francesco  

Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell'Informazione "Maurizio Scarano"  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
A 3-D Simulation Study about SEGR in Medium Voltage Power MOSFET 1-gen-2008 A., Porzio; Velardi, Francesco; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Currò
A 3-D Simulation Study about Single Event Gate Damage in Medium Voltage Power MOSFET 1-gen-2008 A., Porzio; Velardi, Francesco; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Currò
A new test methodology for an exhaustive study of single-event-effects on power MOSFETs 1-gen-2011 Busatto, Giovanni; D., Bisello; G., Currò; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; L., Silvestrin; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery
A Novel Experimental Set-Up for Detecting Gate Leakage Current Increase During Heavy Ions Exposure of Power MOSFETs 1-gen-2007 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; A., Cascio; G., Curr; F., Frisina
A time-resolved IBICC experiment using the IEEM of the SIRAD facility 1-gen-2012 L., Silvestrin; D., Bisello; Busatto, Giovanni; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery
An accurate switching current measurement based on resistive shunt applied to short circuit gan hemt characterization 1-gen-2021 Abbate, C.; Colella, L.; Di Folco, R.; Busatto, G.; Martano, E.; Palazzo, S.; Sanseverino, A.; Velardi, F.
An Experimental Classification of Drain and Gate Current Pulses in Low-Voltage Power MOSFETs During Radiation Exposure 1-gen-2002 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata
An On-Chip Non Invasive Integrated Current Sensing 1-gen-2002 Busatto, Giovanni; R., LA CAPRUCCIA; Iannuzzo, Francesco; Velardi, Francesco; R., Roncella
An original approach to study the charge generation mechanisms in Power MOSFETs during heavy ions exposure 1-gen-2004 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; G., Curr; A., Cascio; F., Frisina; A., Candelori
Analysis of Current in Pulsating DC Link Converter with Zero Voltage Transition 1-gen-2020 Marciano, Daniele; Busatto, Giovanni; Abbate, Carmine; Sanseverino, Annunziata; Tedesco, Davide; Velardi, Francesco
Analysis of Heavy Ion Irradiation Induced Thermal Damage in SiC Schottky Diodes 1-gen-2015 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Cova, P.; Delmonte, N.; Giuliani, F.; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Analysis of Low- and High-Frequency Oscillations in IGBTs During Turn-ON Short Circuit 1-gen-2015 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Ronsisvalle, Cesare
Behavior of power MOSFETs during heavy ions irradiation performed after γ-rays exposure 1-gen-2012 Busatto, Giovanni; DE LUCA, Valentina; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Characterisation of High-Voltage IGBT Modules at High Temperature and High Currents 1-gen-2003 Busatto, Giovanni; Abbate, C.; Cascone, B.; Manzo, R.; Fratelli, L.; Giannini, G.; Iannuzzo, Francesco; Velardi, Francesco
Charge generation mechanisms in low-voltage power MOSFETs during radiation exposure 1-gen-2003 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; A., Candelori
Cosmic ray effects on power MOSFET 1-gen-2004 Busatto, Giovanni; A., Cascio; G., Curro'; F., Frisina; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Developments on DC/DC converters for the LHC experiment upgrades 1-gen-2014 Abbate, Carmine; M., Alderighi; S., Baccaro; Busatto, Giovanni; M., Citterio; P., Cova; Belmonte, N.; V., De Luca; S., Fiore; S., Gerardin; E., Ghisolfi; F., Giuliani; Iannuzzo, Francesco; A., Lanza; S., Latorre; M., Lazzaroni; G., Meneghesso; A., Paccagnella; F., Rampazzo; M., Riva; Sanseverino, Annunziata; R., Silvestri; G., Spiazzi; Velardi, Francesco; E., Zanoni
Effect of the Epitaxial Layer Features on the Reliability of Medium Blocking Voltage Power VDMOSFET during Heavy Ion Exposure 1-gen-2003 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata; A., Candelori; G., Curr; A., Cascio; F., Frisina; A., Cavagnoli
Experimental and 3D simulation study on the role of Parasitic BJT Activation in SEB/SEGR of Power Mosfet 1-gen-2005 Busatto, Giovanni; A., Porzio; Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Curr
Experimental and 3D simulation study on the role of Parasitic BJT Activation in SEB/SEGR of Power Mosfet 1-gen-2005 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco