Experimental study on the effect of the gate oxide thickness and the epitaxial layer resistivity on the reliability of low blocking voltage power VDMOSFET during heavy ions exposure

Velardi, F.; Iannuzzo, F.; Busatto, G.; Wyss, J.; Sanseverino, A.; Candelori, A.; Curr, G.; Cascio, A.; Frisina, F.

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Experimental study on the effect of the gate oxide thickness and the epitaxial layer resistivity on the reliability of low blocking voltage power VDMOSFET during heavy ions exposure / F. VELARDI; F. IANNUZZO; G. BUSATTO; J.WYSS; A. SANSEVERINO; A. CANDELORI; G. CURR; A. CASCIO; F. FRISINA. - (2004), pp. 173-174.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11580/13492

Titolo:	Experimental study on the effect of the gate oxide thickness and the epitaxial layer resistivity on the reliability of low blocking voltage power VDMOSFET during heavy ions exposure
Autori interni:	BUSATTO, Giovanni SANSEVERINO, Annunziata WYSS, JEFFERY VELARDI, Francesco IANNUZZO, Francesco
Data di pubblicazione:	2004
Handle:	http://hdl.handle.net/11580/13492
Appare nelle tipologie:	5.12 Altro

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