Experimental study on the effect of the gate oxide thickness and the epitaxial layer resistivity on the reliability of low blocking voltage power VDMOSFET during heavy ions exposure / F. VELARDI; F. IANNUZZO; G. BUSATTO; J.WYSS; A. SANSEVERINO; A. CANDELORI; G. CURR; A. CASCIO; F. FRISINA. - (2004), pp. 173-174.
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Titolo: | Experimental study on the effect of the gate oxide thickness and the epitaxial layer resistivity on the reliability of low blocking voltage power VDMOSFET during heavy ions exposure |
Autori: | |
Data di pubblicazione: | 2004 |
Handle: | http://hdl.handle.net/11580/13492 |
Appare nelle tipologie: | 5.12 Altro |
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