Experimental study on the effect of the gate oxide thickness and the epitaxial layer resistivity on the reliability of low blocking voltage power VDMOSFET during heavy ions exposure

Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata; Candelori, A.; Curr, G.; Cascio, A.; Frisina, F.

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Experimental study on the effect of the gate oxide thickness and the epitaxial layer resistivity on the reliability of low blocking voltage power VDMOSFET during heavy ions exposure / F. VELARDI; F. IANNUZZO; G. BUSATTO; J.WYSS; A. SANSEVERINO; A. CANDELORI; G. CURR; A. CASCIO; F. FRISINA. - (2004), pp. 173-174.

Titolo:	Experimental study on the effect of the gate oxide thickness and the epitaxial layer resistivity on the reliability of low blocking voltage power VDMOSFET during heavy ions exposure
Autori:	VELARDI, Francesco IANNUZZO, Francesco BUSATTO, Giovanni WYSS, JEFFERY SANSEVERINO, Annunziata A. CANDELORI G. CURR A. CASCIO F. FRISINA mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2004
Handle:	http://hdl.handle.net/11580/13492
Appare nelle tipologie:	5.12 Altro

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