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EnglishHeavy Ions Induced Single Event Gate Damage in Medium Voltage Power MOSFET / G. BUSATTO; G. CURRÒ; F. IANNUZZO; A. PORZIO; A. SANSEVERINO; F. VELARDI. - (2008). ((Intervento presentato al convegno IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference tenutosi a Tucson - AZ nel 14 - 18 luglio 2008.
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http://hdl.handle.net/11580/6454| Titolo: | Heavy Ions Induced Single Event Gate Damage in Medium Voltage Power MOSFET |
| Autori interni: | SANSEVERINO, Annunziata BUSATTO, Giovanni IANNUZZO, Francesco VELARDI, Francesco |
| Data di pubblicazione: | 2008 |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11580/6454 |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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