Single Event Effects in Power MOSFETs during Heavy Ion Irradiations Performed after Gamma Ray Degradation / G. Busatto; V. De Luca; F. Iannuzzo;A. Sanseverino;F. Velardi. - In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - ISSN 0018-9499. - Vol.60(2013), pp. 3793-3801.
Titolo: | Single Event Effects in Power MOSFETs during Heavy Ion Irradiations Performed after Gamma Ray Degradation |
Autori: | |
Data di pubblicazione: | 2013 |
Rivista: | |
Handle: | http://hdl.handle.net/11580/28861 |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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