An original approach to study the charge generation mechanisms in Power MOSFETs during heavy ions exposure

Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Porzio, A.; Sanseverino, Annunziata; Curr, G.; Cascio, A.; Frisina, F.; Candelori, A.

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An original approach to study the charge generation mechanisms in Power MOSFETs during heavy ions exposure / F. VELARDI; F. IANNUZZO; G. BUSATTO; A. PORZIO; A. SANSEVERINO; G. CURR; A. CASCIO; F. FRISINA; A. CANDELORI. - (2004), pp. 239-242.

Titolo:	An original approach to study the charge generation mechanisms in Power MOSFETs during heavy ions exposure
Autori:	VELARDI, Francesco IANNUZZO, Francesco BUSATTO, Giovanni A. PORZIO SANSEVERINO, Annunziata G. CURR A. CASCIO F. FRISINA A. CANDELORI mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2004
Handle:	http://hdl.handle.net/11580/13493
Appare nelle tipologie:	5.12 Altro

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