A 3-D Simulation Study about Single Event Gate Damage in Medium Voltage Power MOSFET / A. PORZIO; F. VELARDI; G. BUSATTO; F. IANNUZZO; A. SANSEVERINO; G. CURRÒ. - (2008). ((Intervento presentato al convegno 10th Radiation and its effects on components and Systems tenutosi a Jyvaskyla, Finlandia nel 10-12 Settembre 2008,.
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Titolo: | A 3-D Simulation Study about Single Event Gate Damage in Medium Voltage Power MOSFET |
Autori: | |
Data di pubblicazione: | 2008 |
Handle: | http://hdl.handle.net/11580/10947 |
Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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