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The role of the charge generated during heavy ion irradiation in the gate damage of medium voltage power MOSFET 1-gen-2009 Busatto, Giovanni; G., Currò; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Radiation effects on power semiconductor devices for distributed power systems for electromagnetic calorimeters (invited) 1-gen-2009 Abbate, C.; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Porzio, A.; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Baccaro, S.
Radiation effects on power semiconductor devices for distributed power systems for electromagnetic calorimeters 1-gen-2009 Abbate, C.; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Porzio, A.; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Baccaro, S.
The role of the charge generated during heavy ion irradiation in the gate damage of medium power MOSFET 1-gen-2009 Busatto, Giovanni; G., Currò; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Experimental study and numerical investigation on the formation of single event gate damages induced on medium voltage power MOSFET 1-gen-2010 Busatto, Giovanni; G., Curro’; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Power supply distribution system for calorimeters at the LHC beyond the nominal luminosity 1-gen-2011 P., Tenti; G., Spiazzi; S., Buso; M., Riva; P., Maranesi; F., Belloni; P., Cova; R., Menozzi; N., Delmonte; M., Bernardoni; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Porzio, Antonino; Velardi, Francesco; A., Lanza; M., Citterio; C., Meroni
IBICC Sensitivity Map of a Power MOSFET with the SIRAD IEEM 1-gen-2011 Busatto, Giovanni; D., Bisello; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; L., Silvestrin; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery
A new test methodology for an exhaustive study of single-event-effects on power MOSFETs 1-gen-2011 Busatto, Giovanni; D., Bisello; G., Currò; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; L., Silvestrin; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery
Power converters for future LHC experiments 1-gen-2012 M., Alderighi; M., Citterio; M., Riva; S., Latorre; Costabeber, ; A., Paccagnella; F., Sichirollo; G., Spiazzi; M., Stellini; P., Tenti; P., Cova; N., Delmonte; A., Lanza; M., Bernardoni; R., Menozzi; S., Baccaro; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Busatto, Giovanni; DE LUCA, Valentina; Velardi, Francesco
Behavior of power MOSFETs during heavy ions irradiation performed after γ-rays exposure 1-gen-2012 Busatto, Giovanni; DE LUCA, Valentina; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
A time-resolved IBICC experiment using the IEEM of the SIRAD facility 1-gen-2012 L., Silvestrin; D., Bisello; Busatto, Giovanni; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery
Radiation and magnetic field effects on new semiconductor power devices for HL-LHC experiments 1-gen-2013 S., Fiore; Abbate, Carmine; S., Baccaro; Busatto, Giovanni; M., Citterio; Iannuzzo, Francesco; A., Lanza; S., Latorre; M., Lazzaroni; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Scattering parameter approach applied to the stability analysis of power IGBTs in Short Circuit 1-gen-2013 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; C., Ronsisvalle; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Single Event Effects Induced by Heavy Ion Irradiation in SiC Power MOSFETs 1-gen-2013 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; A., Cascio; G., Currò; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; S., Mattiazzo; M., Tessaro; L., Silvestrin
High Frequency Capacitive behavior of field stop trench gate IGBTs operating in Short Circuit 1-gen-2013 C., Ronsisvalle; H., Fischer; K. S., Park; Abbate, Carmine; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Busatto, Giovanni
Single Event Effects in Power MOSFETs during Heavy Ion Irradiations Performed after Gamma Ray Degradation 1-gen-2013 Busatto, Giovanni; DE LUCA, Valentina; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Radiation performance of new semiconductor power devices for the LHC experiment upgrades 1-gen-2013 Abbate, C.; Alderighi, M.; Baccaro, S.; Busatto, Giovanni; Citterio, M.; Cova, P.; Delmonte, N.; DE LUCA, Valentina; Fiore, S.; Gerardin, S.; Ghisolfi, E.; Giuliani, F.; Iannuzzo, Francesco; Lanza, A.; Latorre, S.; Lazzaroni, M.; Meneghesso, G.; Paccagnella, A.; Rampazzo, F.; Riva, M.; Sanseverino, Annunziata; Silvestri, R.; Spiazzi, G.; Velardi, Francesco; Zanoni, E.
Testing Integrated COTS DC/DC Converters in Hostile Environment 1-gen-2014 Abbate, Carmine; S., Baccaro; Busatto, Giovanni; M., Citterio; P., Cova; N., Delmonte; DE LUCA, Valentina; S., Fiore; F., Giuliani; Iannuzzo, Francesco; A., Lanza; S., Latorre; M., Lazzaroni; Sanseverino, Annunziata; G., Spiazzi; Velardi, Francesco
Thermal damage in SiC Schottky diodes induced by SE heavy ions 1-gen-2014 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; P., Cova; N., Delmonte; F., Giuliani; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Turn-off instabilities in large area IGBTs 1-gen-2014 Abbate, Carmine; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; C., Ronsisvalle; J., Victory
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