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Experimental and 3D Simulation Study on the Role of the Parasitic BJT Activation in SEB/SEGR of Power MOSFET 1-gen-2005 A., Porzio; Busatto, Giovanni; Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Curro'
Experimental and Numerical investigation about SEB/SEGR of Power MOSFET 1-gen-2005 Busatto, Giovanni; A., Porzio; Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Curro'
Experimental and 3D simulation study on the role of Parasitic BJT Activation in SEB/SEGR of Power Mosfet 1-gen-2005 Busatto, Giovanni; A., Porzio; Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Curr
Experimental and 3D simulation study on the role of Parasitic BJT Activation in SEB/SEGR of Power Mosfet 1-gen-2005 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Experimental and Numerical Investigation about SEB/SEGR of Power MOSFET 1-gen-2005 Busatto, Giovanni; A., Porzio; Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Curr
Experimentally Study of Power MOSFET’s Gate Damage in Radiation Enviroment 1-gen-2006 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Technology Changes Influence on the Reliability of Medium Voltage Power MOSFET’s in Radiation Environment 1-gen-2006 G., Busatto; G., Curro'; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Technology Changes Influence on the Reliability of Medium Voltage Power MOSFET’s in Radiation Environment 1-gen-2006 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Porzio, A; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Cascio, A; Curro', G; Frisina, F.
Experimental study of power MOSFET’s gate damage in radiation environment 1-gen-2006 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Porzio, A; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Curro', G.
A Novel Experimental Set-Up for Detecting Gate Leakage Current Increase During Heavy Ions Exposure of Power MOSFETs 1-gen-2007 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; A., Cascio; G., Curr; F., Frisina
Experimental Evidence of “Latent Gate Oxide Damages” in Medium Voltage Power MOSFET as a Result of Heavy Ions Exposure 1-gen-2008 Busatto, Giovanni; Currò, G; Iannuzzo, Francesco; Porzio, A; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Latent Damages in Gate Oxide of Medium Voltage Power MOSFET 1-gen-2008 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; A. PORZIO A., Sanseverino; Velardi, Francesco; A., Cascio; G., Currò; F., Frisina
A 3-D Simulation Study about SEGR in Medium Voltage Power MOSFET 1-gen-2008 A., Porzio; Velardi, Francesco; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Currò
Heavy ions induced single event gate damages in medium voltage power MOSFET 1-gen-2008 Busatto, Giovanni; G., Currò; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Heavy Ions Induced Single Event Gate Damage in Medium Voltage Power MOSFET 1-gen-2008 Busatto, Giovanni; G., Currò; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
A 3-D Simulation Study about Single Event Gate Damage in Medium Voltage Power MOSFET 1-gen-2008 A., Porzio; Velardi, Francesco; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Currò
Experimental Study of the Damages Created in the Gate Oxide of Medium Voltage Power MOSFET During Heavy Ions Irradiation 1-gen-2009 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; A. PORZIO A., Sanseverino; Velardi, Francesco; A., Cascio; G., Currò; F., Frisina
Induced Damages in Power MOSFETs after Heavy Ions Irradiation 1-gen-2009 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; G., Currò
Radiation effects on power semiconductor devices for distributed power systems for electromagnetic calorimeters (invited) 1-gen-2009 Abbate, C.; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Porzio, A.; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Baccaro, S.
The role of the charge generated during heavy ion irradiation in the gate damage of medium power MOSFET 1-gen-2009 Busatto, Giovanni; G., Currò; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
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