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A novel sensor for ion electron emission microscopy.
2004-01-01 D., Bisello; M., DAL MASCHIO; P., Giubilato; A., Kaminsky; M., Nigro; D., Pantano; R., Rando; M., Tessaro; Wyss, Jeffery
Lithium ion-induced damage in silicon detectors
2004-01-01 A., Candelori; D., Bisello; P., Giubilato; A., Kaminski; A., Litovchenko; M., Lozano; M., Ullan; R., Rando; Wyss, Jeffery
Semiconductor detectors for neutron flux measurements
2004-01-01 P. G., Litovchenko; Bisello, W. W. A. H. L. D.; A., Candelori; A. P., Litovchenko; V. F., Lastovetsky; L. I., Barabash; T. I., Kibkalo; L. A., Polivtsev; Wyss, Jeffery
Experimental Study on the Reliability of Low Blocking Voltage Power VDMOSFET During Heavy Ion Exposure
2004-01-01 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata; A., Candelori; G., Curro'; A., Cascio; F., Frisina
Experimental study on the effect of the gate oxide thickness and the epitaxial layer resistivity on the reliability of low blocking voltage power VDMOSFET during heavy ions exposure
2004-01-01 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata; A., Candelori; G., Curr; A., Cascio; F., Frisina
Ion electron emission microscopy at SIRAD
2005-01-01 D., Bisello; A., Candelori; P., Giubilato; A., Kaminsky; S., Mattiazzo; M., Nigro; D., Pantano; R., Rando; M., Tessaro; Wyss, Jeffery; S. BERTAZZONI AND D., DI GIOVENALE
Radiation-induced effects on the XAA1.2 ASIC chip for space application
2005-01-01 E., DEL MONTE; L., Pacciani; G., Porrovecchio; P., Soffitta; E., Costa; G., DI PERSIO; M., Feroci; M., Mastropietro; E., Morelli; M., Rapisarda; A., Rubini; D., Bisello; A., Candelori; A., Kaminski; Wyss, Jeffery
Position sensitive detectors for ion electron emission microscopy
2007-01-01 D., Bisello; A., Candelori; P., Giubilato; A., Kaminsky; S., Mattiazzo; M., Nigro; D., Pantano; R., Rando; M., Tessaro; Wyss, Jeffery
Secondary electron yield of Au and Al2O3 surfaces from swift heavy ion impact in the 2.5–7.9 MeV/amu energy range
2008-01-01 D., Bisello; A., Candelori; P., Giubilato; A., Kaminsky; S., Mattiazzo; M., Nigro; D., Pantano; R., Rando; L., Silvestrin; M., Tessaro; Wyss, Jeffery
Performance of the SIRAD ion electron emission microscope
2008-01-01 D., Bisello; P., Giubilato; S., Mattiazzo; M., Nigro; D., Pantano; R., Rando; L., Silvestrin; Wyss, Jeffery
Secondary electron yield of Au and Al2O3 surfaces from swift heavy ion impacts in the 2.5-7.9 MeV/amu energy range
2008-01-01 D., Bisello; A., Candelori; P., Giubilato; A., Kaminsky; S., Mattiazzo; M., Nigro; D., Pantano; R., Rando; L., Silvestrin; Wyss, Jeffery
Ion Impact Detection and Micromapping with a SDRAM for IEEM Diagnostics and Applications
2009-01-01 Stefano, Bertazzoni; Dario, Bisello; Piero, Giubilato; Alexander, Kaminsky; Serena, Mattiazzo; Lorenzo, Mongiardo; Devis, Pantano; Riccardo, Rando; Marcello, Salmeri; Adelio, Salsano; Luca, Silvestrin; Mario, Tessaro; Wyss, Jeffery
Detection Efficiency and Spatial Resolution of the SIRAD Ion Electron Emission Microscope
2009-01-01 D., Bisello; P., Giubilato; A., Kaminsky; S., Mattiazzo; M., Nigro; D., Pantano; L., Silvestrin; M., Tessaro; Wyss, Jeffery; S., Bertazzoni; L., Mongiardo; M., Salmeri; A., Salsano
Total Dose Effects on a FD-SOI Technology for Monolithic Pixel Sensors
2010-01-01 S., Mattiazzo; M., Battaglia; D., Bisello; D., Contarato; P., Denes; P., Giubilato; D., Pantano; N., Pozzobon; M., Tessaro; Wyss, Jeffery
First results in micromapping the sensitivity to SEE of an electronic device in a SOI technology at the LNL IEEM
2011-01-01 S., Mattiazzo; D., Bisello; P., Giubilato; A., Kaminsky; D., Pantano; L., Silvestrin; M., Tessaro; Wyss, Jeffery
IBICC Sensitivity Map of a Power MOSFET with the SIRAD IEEM
2011-01-01 Busatto, Giovanni; D., Bisello; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; L., Silvestrin; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery
A new test methodology for an exhaustive study of single-event-effects on power MOSFETs
2011-01-01 Busatto, Giovanni; D., Bisello; G., Currò; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; L., Silvestrin; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery
Neutron production targets for a new Single Event Effects facility at the 70 MeV Cyclotron of LNL-INFN
2012-01-01 D., Bisello; A., Candelori; N., Dzysiuk; J., Esposito; P., Mastinu; S., Mattiazzo; G., Prete; L., Silvestrin; Wyss, Jeffery
The SPES project: a second generation ISOL facility
2012-01-01 G., Prete; A., Andrighetto; J., Esposito; P., Mastinu; Wyss, Jeffery
A time-resolved IBICC experiment using the IEEM of the SIRAD facility
2012-01-01 L., Silvestrin; D., Bisello; Busatto, Giovanni; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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A novel sensor for ion electron emission microscopy. | 1-gen-2004 | D., Bisello; M., DAL MASCHIO; P., Giubilato; A., Kaminsky; M., Nigro; D., Pantano; R., Rando; M., Tessaro; Wyss, Jeffery | |
Lithium ion-induced damage in silicon detectors | 1-gen-2004 | A., Candelori; D., Bisello; P., Giubilato; A., Kaminski; A., Litovchenko; M., Lozano; M., Ullan; R., Rando; Wyss, Jeffery | |
Semiconductor detectors for neutron flux measurements | 1-gen-2004 | P. G., Litovchenko; Bisello, W. W. A. H. L. D.; A., Candelori; A. P., Litovchenko; V. F., Lastovetsky; L. I., Barabash; T. I., Kibkalo; L. A., Polivtsev; Wyss, Jeffery | |
Experimental Study on the Reliability of Low Blocking Voltage Power VDMOSFET During Heavy Ion Exposure | 1-gen-2004 | Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata; A., Candelori; G., Curro'; A., Cascio; F., Frisina | |
Experimental study on the effect of the gate oxide thickness and the epitaxial layer resistivity on the reliability of low blocking voltage power VDMOSFET during heavy ions exposure | 1-gen-2004 | Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata; A., Candelori; G., Curr; A., Cascio; F., Frisina | |
Ion electron emission microscopy at SIRAD | 1-gen-2005 | D., Bisello; A., Candelori; P., Giubilato; A., Kaminsky; S., Mattiazzo; M., Nigro; D., Pantano; R., Rando; M., Tessaro; Wyss, Jeffery; S. BERTAZZONI AND D., DI GIOVENALE | |
Radiation-induced effects on the XAA1.2 ASIC chip for space application | 1-gen-2005 | E., DEL MONTE; L., Pacciani; G., Porrovecchio; P., Soffitta; E., Costa; G., DI PERSIO; M., Feroci; M., Mastropietro; E., Morelli; M., Rapisarda; A., Rubini; D., Bisello; A., Candelori; A., Kaminski; Wyss, Jeffery | |
Position sensitive detectors for ion electron emission microscopy | 1-gen-2007 | D., Bisello; A., Candelori; P., Giubilato; A., Kaminsky; S., Mattiazzo; M., Nigro; D., Pantano; R., Rando; M., Tessaro; Wyss, Jeffery | |
Secondary electron yield of Au and Al2O3 surfaces from swift heavy ion impact in the 2.5–7.9 MeV/amu energy range | 1-gen-2008 | D., Bisello; A., Candelori; P., Giubilato; A., Kaminsky; S., Mattiazzo; M., Nigro; D., Pantano; R., Rando; L., Silvestrin; M., Tessaro; Wyss, Jeffery | |
Performance of the SIRAD ion electron emission microscope | 1-gen-2008 | D., Bisello; P., Giubilato; S., Mattiazzo; M., Nigro; D., Pantano; R., Rando; L., Silvestrin; Wyss, Jeffery | |
Secondary electron yield of Au and Al2O3 surfaces from swift heavy ion impacts in the 2.5-7.9 MeV/amu energy range | 1-gen-2008 | D., Bisello; A., Candelori; P., Giubilato; A., Kaminsky; S., Mattiazzo; M., Nigro; D., Pantano; R., Rando; L., Silvestrin; Wyss, Jeffery | |
Ion Impact Detection and Micromapping with a SDRAM for IEEM Diagnostics and Applications | 1-gen-2009 | Stefano, Bertazzoni; Dario, Bisello; Piero, Giubilato; Alexander, Kaminsky; Serena, Mattiazzo; Lorenzo, Mongiardo; Devis, Pantano; Riccardo, Rando; Marcello, Salmeri; Adelio, Salsano; Luca, Silvestrin; Mario, Tessaro; Wyss, Jeffery | |
Detection Efficiency and Spatial Resolution of the SIRAD Ion Electron Emission Microscope | 1-gen-2009 | D., Bisello; P., Giubilato; A., Kaminsky; S., Mattiazzo; M., Nigro; D., Pantano; L., Silvestrin; M., Tessaro; Wyss, Jeffery; S., Bertazzoni; L., Mongiardo; M., Salmeri; A., Salsano | |
Total Dose Effects on a FD-SOI Technology for Monolithic Pixel Sensors | 1-gen-2010 | S., Mattiazzo; M., Battaglia; D., Bisello; D., Contarato; P., Denes; P., Giubilato; D., Pantano; N., Pozzobon; M., Tessaro; Wyss, Jeffery | |
First results in micromapping the sensitivity to SEE of an electronic device in a SOI technology at the LNL IEEM | 1-gen-2011 | S., Mattiazzo; D., Bisello; P., Giubilato; A., Kaminsky; D., Pantano; L., Silvestrin; M., Tessaro; Wyss, Jeffery | |
IBICC Sensitivity Map of a Power MOSFET with the SIRAD IEEM | 1-gen-2011 | Busatto, Giovanni; D., Bisello; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; L., Silvestrin; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery | |
A new test methodology for an exhaustive study of single-event-effects on power MOSFETs | 1-gen-2011 | Busatto, Giovanni; D., Bisello; G., Currò; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; L., Silvestrin; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery | |
Neutron production targets for a new Single Event Effects facility at the 70 MeV Cyclotron of LNL-INFN | 1-gen-2012 | D., Bisello; A., Candelori; N., Dzysiuk; J., Esposito; P., Mastinu; S., Mattiazzo; G., Prete; L., Silvestrin; Wyss, Jeffery | |
The SPES project: a second generation ISOL facility | 1-gen-2012 | G., Prete; A., Andrighetto; J., Esposito; P., Mastinu; Wyss, Jeffery | |
A time-resolved IBICC experiment using the IEEM of the SIRAD facility | 1-gen-2012 | L., Silvestrin; D., Bisello; Busatto, Giovanni; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery |
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