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The Reliability of New Generation Power MOSFETs in Radiation Environment 1-gen-2002 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; A., Kaminksy
Proton irradiation effects on standard and oxygenated silicon diodes 1-gen-2002 D., Bisello; N., Bacchetta; A., Candelori; A., Kaminski; D., Pantano; R., Rando; I., Stavitsky; Wyss, Jeffery
Experimental Study of Charge Generation Mechanisms in Power MOSFETs due to Energetic Particle Impact 1-gen-2002 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; A., Candelori
An Experimental Classification of Drain and Gate Current Pulses in Low-Voltage Power MOSFETs During Radiation Exposure 1-gen-2002 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata
Anomalous charge loss from floating-gate memory cells due to heavy ion irradiation 1-gen-2002 G., Cellere; A., Paccagnella; L., Larcher; A., Chimenton; Wyss, Jeffery; A., Candelori; A., Modelli
High-Energy Ion Irradiation Effects on Thin Oxide p-Channel MOSFETs 1-gen-2002 A., Candelori; D., Contarato; N., Bacchetta; D., Bisello; G., Hall; E., Noah; M., Raymond; Wyss, Jeffery
Charge Collection effiency of standard and oxygenated silicon microstrip detectors 1-gen-2002 I., Stavitsky; R., Rando; D., Bisello; N., Bacchetta; A., Candelori; A., Kaminsky; Wyss, Jeffery
THE FUTURE OF THE SIRAD SEE FACILITY: ION-ELECTRON EMISSION MISROSCOPY 1-gen-2002 Wyss, Jeffery; Bisello, D.; Kaminsky, A.; Magalini, A.; Nigro, M.; Pantano, D.; Sedykh, S.
Single event upset studies on the CMS tracker APV25 readout chip 1-gen-2002 E., Noah; T., Bauer; D., Bisello; F., Faccio; M., Frieddl; J. R., Fulcher; G., Hall; M., Huthinen; A., Kaminsky; M., Pericka; M., Raymond; Wyss, Jeffery
Radiation hardness of silicon detectors for high-energy physics applications 1-gen-2003 A., Candelori; D., Bisello; R., Rando; A., Kaminski; Wyss, Jeffery; A., Litovchenko; G. F., DALLA BETTA; M., Lozaono; Martinez, M. B. O. S. C. A. R. D. I. N. C.; Mullan, ; N., Zorzi
Experimental study of charge generation mechanisms in power MOSFETs due to energetic particle impact 1-gen-2003 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; A., Candelori
Effects of proton irradiation on glass filter substrates for the Rosetta mission 1-gen-2003 G., Naletto; A., Boscolo; Wyss, Jeffery; A., Quaranta
Silicon diode radiation hardening for high energy physics detectors 1-gen-2003 R., Rando; A., Candelori; D., Bisello; A., Kaminsky; A., Litovchenko; D., Pantano; I., Stavitsky; Wyss, Jeffery
Effect of the Epitaxial Layer Features on the Reliability of Medium Blocking Voltage Power VDMOSFET during Heavy Ion Exposure 1-gen-2003 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata; A., Candelori; G., Curr; A., Cascio; F., Frisina; A., Cavagnoli
Silicon Detectors for gamma-ray and beta-spectroscopy 1-gen-2003 P. G., Litovchenko; W., Wahl; D., Bisello; R., Rando; A. P., Litovchenko; L. I., Barabash; T. I., Kiblalo; L. A., Polivtsev; J. I., Kolevatov; V. P., Semenov; L. A., Trykov; Wyss, Jeffery
Radiation defects in neutron irradiated silicon with high oxygen concentrations 1-gen-2003 P. G., Litovchenko; A. A., Groza; V. I., Varnina; M. I., Starchik; V. I., Khivrich; G. G., Shmatko; L. A., Polivzev; M. B., Pinkovska; D., Bisello; A., Candelori; A. P., Litovchenko; Wyss, Jeffery; W., Wahl
Status of the ion electron emission microscope at the SIRAD single event facility 1-gen-2003 D., Bisello; A., Candelori; M., Dalmaschio; P., Giubilato; A., Kaminsky; M., Nigro; D., Pantano; R., Rando; S, Sedykh; M., Tessaro; Wyss, Jeffery
Charge generation mechanisms in low-voltage power MOSFETs during radiation exposure 1-gen-2003 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; A., Candelori
Reliability of Medium Blocking Voltage Power VDMOSFET in Radiation Environment 1-gen-2003 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata; A., Candelori; G., Curro'; A., Cascio; F., Frisina
Accelerated wear-out of ultra-thin gate oxides after irradiation 1-gen-2003 A., Cester; S., Cimino; A., Paccagnella; G., Ghibaudo; G., Ghidini; Wyss, Jeffery
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