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High Frequency Capacitive behavior of field stop trench gate IGBTs operating in Short Circuit
2013-01-01 C., Ronsisvalle; H., Fischer; K. S., Park; Abbate, Carmine; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Busatto, Giovanni
Instabilities in Silicon Power Devices: A Review of Failure Mechanisms in Modern Power Devices
2014-01-01 Iannuzzo, Francesco; Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni
Developments on DC/DC converters for the LHC experiment upgrades
2014-01-01 Abbate, Carmine; M., Alderighi; S., Baccaro; Busatto, Giovanni; M., Citterio; P., Cova; Belmonte, N.; V., De Luca; S., Fiore; S., Gerardin; E., Ghisolfi; F., Giuliani; Iannuzzo, Francesco; A., Lanza; S., Latorre; M., Lazzaroni; G., Meneghesso; A., Paccagnella; F., Rampazzo; M., Riva; Sanseverino, Annunziata; R., Silvestri; G., Spiazzi; Velardi, Francesco; E., Zanoni
Experimental and Numerical Study of Low and High Frequency Oscillations in IGBTs during Short Circuit .
2014-01-01 Busatto, Giovanni; Abbate, Carmine; Sanseverino, Annunziata; C., Ronsisvalle
Mechanoluminescence of nylon under high velocity impact
2014-01-01 Bonora, Nicola; Ruggiero, Andrew; Iannitti, Gianluca; Abbate, Carmine; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni
Testing Integrated COTS DC/DC Converters in Hostile Environment
2014-01-01 Abbate, Carmine; S., Baccaro; Busatto, Giovanni; M., Citterio; P., Cova; N., Delmonte; DE LUCA, Valentina; S., Fiore; F., Giuliani; Iannuzzo, Francesco; A., Lanza; S., Latorre; M., Lazzaroni; Sanseverino, Annunziata; G., Spiazzi; Velardi, Francesco
Thermal damage in SiC Schottky diodes induced by SE heavy ions
2014-01-01 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; P., Cova; N., Delmonte; F., Giuliani; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Turn-off instabilities in large area IGBTs
2014-01-01 Abbate, Carmine; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; C., Ronsisvalle; J., Victory
Analysis of Heavy Ion Irradiation Induced Thermal Damage in SiC Schottky Diodes
2015-01-01 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Cova, P.; Delmonte, N.; Giuliani, F.; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Analysis of Low- and High-Frequency Oscillations in IGBTs During Turn-ON Short Circuit
2015-01-01 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Ronsisvalle, Cesare
Experimental study of Single Event Effects induced by heavy ion irradiation in enhancement mode GaN power HEMT
2015-01-01 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Mattiazzo, S.; Sanseverino, Annunziata; Silvestrin, L.; Tedesco, Davide; Velardi, Francesco
Measurement of IGBT High-Frequency Input Impedance in Short Circuit
2017-01-01 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Iavarone, Sara; Ronsisvalle, Cesare
Experimental Study of the Instabilities Observed in 650 V Enhancement Mode GaN HEMT during Short Circuit
2017-01-01 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Sanseverino, A.; Tedesco, Davide; Velardi, Francesco
Progressive Drain Damage in SiC Power MOSFETs Exposed to Ionizing Radiation
2018-01-01 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata; Tedesco, Davide; Velardi, Francesco; Simona, Mattiazzo; Luca, Silvestin
Measure of High Frequency Input Impedance to Study the Instability of Power Devices in Short Circuit
2018-01-01 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata; Tedesco, Davide; Velardi, Francesco
Failure analysis of 650 V enhancement mode GaN HEMT after short circuit tests
2018-01-01 Abbate, C.; Busatto, G.; Sanseverino, A.; Tedesco, D.; Velardi, F.
Gate Damages Induced in SiC Power MOSFETs During Heavy-Ion Irradiation--Part I
2019-01-01 Abbate, C.; Busatto, G.; Tedesco, D.; Sanseverino, A.; Silvestrin, L.; Velardi, F.; Wyss, J.
Gate Damages Induced in SiC Power MOSFETs During Heavy Ion Irradiation (Part II)
2019-01-01 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Tedesco, Davide; Velardi, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Wyss, Jeffery
Failure mechanisms of enhancement mode GaN power HEMTs operated in short circuit
2019-01-01 Abbate, C.; Busatto, G.; Sanseverino, A.; Tedesco, D.; Velardi, F.
Analysis of Current in Pulsating DC Link Converter with Zero Voltage Transition
2020-01-01 Marciano, Daniele; Busatto, Giovanni; Abbate, Carmine; Sanseverino, Annunziata; Tedesco, Davide; Velardi, Francesco
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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High Frequency Capacitive behavior of field stop trench gate IGBTs operating in Short Circuit | 1-gen-2013 | C., Ronsisvalle; H., Fischer; K. S., Park; Abbate, Carmine; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Busatto, Giovanni | |
Instabilities in Silicon Power Devices: A Review of Failure Mechanisms in Modern Power Devices | 1-gen-2014 | Iannuzzo, Francesco; Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni | |
Developments on DC/DC converters for the LHC experiment upgrades | 1-gen-2014 | Abbate, Carmine; M., Alderighi; S., Baccaro; Busatto, Giovanni; M., Citterio; P., Cova; Belmonte, N.; V., De Luca; S., Fiore; S., Gerardin; E., Ghisolfi; F., Giuliani; Iannuzzo, Francesco; A., Lanza; S., Latorre; M., Lazzaroni; G., Meneghesso; A., Paccagnella; F., Rampazzo; M., Riva; Sanseverino, Annunziata; R., Silvestri; G., Spiazzi; Velardi, Francesco; E., Zanoni | |
Experimental and Numerical Study of Low and High Frequency Oscillations in IGBTs during Short Circuit . | 1-gen-2014 | Busatto, Giovanni; Abbate, Carmine; Sanseverino, Annunziata; C., Ronsisvalle | |
Mechanoluminescence of nylon under high velocity impact | 1-gen-2014 | Bonora, Nicola; Ruggiero, Andrew; Iannitti, Gianluca; Abbate, Carmine; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni | |
Testing Integrated COTS DC/DC Converters in Hostile Environment | 1-gen-2014 | Abbate, Carmine; S., Baccaro; Busatto, Giovanni; M., Citterio; P., Cova; N., Delmonte; DE LUCA, Valentina; S., Fiore; F., Giuliani; Iannuzzo, Francesco; A., Lanza; S., Latorre; M., Lazzaroni; Sanseverino, Annunziata; G., Spiazzi; Velardi, Francesco | |
Thermal damage in SiC Schottky diodes induced by SE heavy ions | 1-gen-2014 | Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; P., Cova; N., Delmonte; F., Giuliani; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco | |
Turn-off instabilities in large area IGBTs | 1-gen-2014 | Abbate, Carmine; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; C., Ronsisvalle; J., Victory | |
Analysis of Heavy Ion Irradiation Induced Thermal Damage in SiC Schottky Diodes | 1-gen-2015 | Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Cova, P.; Delmonte, N.; Giuliani, F.; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco | |
Analysis of Low- and High-Frequency Oscillations in IGBTs During Turn-ON Short Circuit | 1-gen-2015 | Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Ronsisvalle, Cesare | |
Experimental study of Single Event Effects induced by heavy ion irradiation in enhancement mode GaN power HEMT | 1-gen-2015 | Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Mattiazzo, S.; Sanseverino, Annunziata; Silvestrin, L.; Tedesco, Davide; Velardi, Francesco | |
Measurement of IGBT High-Frequency Input Impedance in Short Circuit | 1-gen-2017 | Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Iavarone, Sara; Ronsisvalle, Cesare | |
Experimental Study of the Instabilities Observed in 650 V Enhancement Mode GaN HEMT during Short Circuit | 1-gen-2017 | Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Sanseverino, A.; Tedesco, Davide; Velardi, Francesco | |
Progressive Drain Damage in SiC Power MOSFETs Exposed to Ionizing Radiation | 1-gen-2018 | Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata; Tedesco, Davide; Velardi, Francesco; Simona, Mattiazzo; Luca, Silvestin | |
Measure of High Frequency Input Impedance to Study the Instability of Power Devices in Short Circuit | 1-gen-2018 | Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata; Tedesco, Davide; Velardi, Francesco | |
Failure analysis of 650 V enhancement mode GaN HEMT after short circuit tests | 1-gen-2018 | Abbate, C.; Busatto, G.; Sanseverino, A.; Tedesco, D.; Velardi, F. | |
Gate Damages Induced in SiC Power MOSFETs During Heavy-Ion Irradiation--Part I | 1-gen-2019 | Abbate, C.; Busatto, G.; Tedesco, D.; Sanseverino, A.; Silvestrin, L.; Velardi, F.; Wyss, J. | |
Gate Damages Induced in SiC Power MOSFETs During Heavy Ion Irradiation (Part II) | 1-gen-2019 | Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Tedesco, Davide; Velardi, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Wyss, Jeffery | |
Failure mechanisms of enhancement mode GaN power HEMTs operated in short circuit | 1-gen-2019 | Abbate, C.; Busatto, G.; Sanseverino, A.; Tedesco, D.; Velardi, F. | |
Analysis of Current in Pulsating DC Link Converter with Zero Voltage Transition | 1-gen-2020 | Marciano, Daniele; Busatto, Giovanni; Abbate, Carmine; Sanseverino, Annunziata; Tedesco, Davide; Velardi, Francesco |
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