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Non-Destructive Experimental Investigation about RBSOA in High Power IGBT Modules 1-gen-2008 Busatto, Giovanni; Abbate, C.; Abbate, B.; Iannuzzo, Francesco
Instable Mechanisms During Unclamped Operation of High Power IGBT Modules 1-gen-2009 Busatto, Giovanni; Abbate, Carmine; Iannuzzo, Francesco; P., Cristofaro
The effects of the stray elements on the failure of parallel connected IGBTs during Turn-Off 1-gen-2009 Abbate, C.; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco
Radiation effects on power semiconductor devices for distributed power systems for electromagnetic calorimeters (invited) 1-gen-2009 Abbate, C.; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Porzio, A.; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Baccaro, S.
Radiation effects on power semiconductor devices for distributed power systems for electromagnetic calorimeters 1-gen-2009 Abbate, C.; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Porzio, A.; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Baccaro, S.
Performances of MOS-Gated GTO in High Voltage Power Applications 1-gen-2009 Ronsisvalle, C.; V., Enea; C., Abbate; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata
Non Destructive SOA Testing of Power Modules (Invited) 1-gen-2010 Busatto, Giovanni; Abbate, Carmine; Iannuzzo, Francesco
Comparison among eligible topologies for MARX klystron modulators 1-gen-2010 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Pagliarone, Carmine Elvezio; Piacentino, Giovanni Maria; F., Bedeschi
Perspective Performances of MOS-Gated GTO in High-Power Applications 1-gen-2010 C., Ronsisvalle; V., Enea; Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata
IGBT RBSOA non-destructive testing methods: Analysis and discussion 1-gen-2010 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco
High-Voltage, High-Performance Switch Using Series-Connected IGBTs 1-gen-2010 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco
MOS-Gated GTO: a new functionally integrated device suitable for high voltage power applications 1-gen-2010 C., Ronsisvalle; V., Enea; Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Sanseverino, Annunziata
Operation of SiC normally-off JFET at the edges of its safe operating area 1-gen-2011 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco
Effects of back-side He irradiation on MOS-GTO performances 1-gen-2011 C., Ronsisvalle; V., Enea; Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G. A. P., Cirrone
Unclamped repetitive stress on 1200 V normally-off SiC JFETs 1-gen-2012 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco
Thermal instability during short circuit of normally-off AlGaN/GaN HFETs 1-gen-2013 Abbate, Carmine; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni
Single Event Effects Induced by Heavy Ion Irradiation in SiC Power MOSFETs 1-gen-2013 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; A., Cascio; G., Currò; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; S., Mattiazzo; M., Tessaro; L., Silvestrin
Radiation and magnetic field effects on new semiconductor power devices for HL-LHC experiments 1-gen-2013 S., Fiore; Abbate, Carmine; S., Baccaro; Busatto, Giovanni; M., Citterio; Iannuzzo, Francesco; A., Lanza; S., Latorre; M., Lazzaroni; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
Scattering parameter approach applied to the stability analysis of power IGBTs in Short Circuit 1-gen-2013 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; C., Ronsisvalle; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
High Frequency Capacitive behavior of field stop trench gate IGBTs operating in Short Circuit 1-gen-2013 C., Ronsisvalle; H., Fischer; K. S., Park; Abbate, Carmine; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Busatto, Giovanni
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