CINECA IRIS Institutional Research Information System
IRIS è la soluzione IT che facilita la raccolta e la gestione dei dati relativi alle attività e ai prodotti della ricerca. Fornisce a ricercatori, amministratori e valutatori gli strumenti per monitorare i risultati della ricerca, aumentarne la visibilità e allocare in modo efficace le risorse disponibili.
EnglishIn this brief, we present the experimental and simulated characteristics of a new power semiconductor device called MOS-gated thyristor (MOS-GTO) for high-power applications. The results are presented for a 1.2-kV device and subsequently scaled up to 4.5-kV blocking voltage. The excellent ON-state voltage and switching characteristics makeMOS-GTO a very promising device for high-voltage power applications.
Scheda prodotto non validato
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo
| Titolo: | Perspective Performances of MOS-Gated GTO in High-Power Applications |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2010 |
| Rivista: | |
| Abstract: | In this brief, we present the experimental and simulated characteristics of a new power semiconductor device called MOS-gated thyristor (MOS-GTO) for high-power applications. The results are presented for a 1.2-kV device and subsequently scaled up to 4.5-kV blocking voltage. The excellent ON-state voltage and switching characteristics makeMOS-GTO a very promising device for high-voltage power applications. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11580/13910 |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
Copyright © 2020