Activation of parasitic bipolar transistor during reverse recovery of MOSFET’s intrinsic diode

Busatto, Giovanni; Persiano, G. V.; Strollo, A.; Spirito, P.

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Activation of parasitic bipolar transistor during reverse recovery of MOSFET’s intrinsic diode / G. BUSATTO; PERSIANO G.V.; STROLLO A.; SPIRITO P.. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - 37(1997), pp. 1507-1510.

Titolo:	Activation of parasitic bipolar transistor during reverse recovery of MOSFET’s intrinsic diode
Autori:	BUSATTO, Giovanni PERSIANO G. V. STROLLO A. SPIRITO P. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	1997
Rivista:	MICROELECTRONICS RELIABILITY
Handle:	http://hdl.handle.net/11580/7841
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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