Activation of parasitic bipolar transistor during reverse recovery of MOSFET’s intrinsic diode / G. BUSATTO; PERSIANO G.V.; STROLLO A.; SPIRITO P.. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - 37(1997), pp. 1507-1510.
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Titolo: | Activation of parasitic bipolar transistor during reverse recovery of MOSFET’s intrinsic diode |
Autori: | |
Data di pubblicazione: | 1997 |
Rivista: | |
Handle: | http://hdl.handle.net/11580/7841 |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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