RADIATION DAMAGE OF STANDARD AND OXYGENATED SILICON DIODES IRRADIATIED BY 16-MEV AND 27-MEV PROTONS

Bisello, D.; Wyss, Jeffery; Candelori, A.; Kaminsky, A.; Pantano, D.

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RADIATION DAMAGE OF STANDARD AND OXYGENATED SILICON DIODES IRRADIATIED BY 16-MEV AND 27-MEV PROTONS / BISELLO D.; J. WYSS; CANDELORI A.; KAMINSKY A.; PANTANO D.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - ISSN 0018-9499. - 48, N.4(2001), pp. 1020-1027.

Titolo:	RADIATION DAMAGE OF STANDARD AND OXYGENATED SILICON DIODES IRRADIATIED BY 16-MEV AND 27-MEV PROTONS
Autori:	BISELLO D. WYSS, JEFFERY CANDELORI A. KAMINSKY A. PANTANO D. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2001
Rivista:	IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE
Handle:	http://hdl.handle.net/11580/8173
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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