LOW- AND HIGH-ENERGY PROTON IRRADIATIONS OF STANDARD AND OXYGENATED SILICON DIODES

Candelori, A.; Rando, R.; Bisello, D.; Bacchetta, N.; Kaminsky, A.; Pantano, D.; Stavitsky, I.; Wyss, Jeffery

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LOW- AND HIGH-ENERGY PROTON IRRADIATIONS OF STANDARD AND OXYGENATED SILICON DIODES / CANDELORI A.; RANDO R.; BISELLO D.; BACCHETTA N.; KAMINSKY A.; PANTANO D.; STAVITSKY I.; J. WYSS. - In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - ISSN 0018-9499. - 48, N.6(2001), pp. 2270-2277.

Titolo:	LOW- AND HIGH-ENERGY PROTON IRRADIATIONS OF STANDARD AND OXYGENATED SILICON DIODES
Autori:	CANDELORI A. RANDO R. BISELLO D. BACCHETTA N. KAMINSKY A. PANTANO D. STAVITSKY I. WYSS, JEFFERY mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2001
Rivista:	IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE
Handle:	http://hdl.handle.net/11580/8171
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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