Recombination measurement on N-type heavily-doped layer in high/low silicon junctions

Bellone, S.; Busatto, Giovanni; Ransom, C. M.

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Recombination measurement on N-type heavily-doped layer in high/low silicon junctions / S.BELLONE; G. BUSATTO; C.M.RANSOM. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - ED-38(1991), pp. 532-537.

Titolo:	Recombination measurement on N-type heavily-doped layer in high/low silicon junctions
Autori:	S. BELLONE BUSATTO, Giovanni C. M. RANSOM mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	1991
Rivista:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
Handle:	http://hdl.handle.net/11580/5553
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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