Recombination measurement on N-type heavily-doped layer in high/low silicon junctions / S.BELLONE; G. BUSATTO; C.M.RANSOM. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - ED-38(1991), pp. 532-537.
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Titolo: | Recombination measurement on N-type heavily-doped layer in high/low silicon junctions |
Autori: | |
Data di pubblicazione: | 1991 |
Rivista: | |
Handle: | http://hdl.handle.net/11580/5553 |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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