Recombination lifetime profiling in very thin Si epitaxial layers used for bipolar VLSI

Spirito, P.; Bellone, S.; Ransom, C.; Busatto, Giovanni; Cocorullo, G.

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Recombination lifetime profiling in very thin Si epitaxial layers used for bipolar VLSI / P.SPIRITO; S.BELLONE; C.RANSOM; G. BUSATTO; G.COCORULLO. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - EDL-10(1989), pp. 23-24.

Titolo:	Recombination lifetime profiling in very thin Si epitaxial layers used for bipolar VLSI
Autori:	P. SPIRITO S. BELLONE C. RANSOM BUSATTO, Giovanni G. COCORULLO mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	1989
Rivista:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
Handle:	http://hdl.handle.net/11580/5551
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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