DI PASQUALE, Antonio
 Distribuzione geografica
Continente #
EU - Europa 59
NA - Nord America 44
AS - Asia 28
Totale 131
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 43
IT - Italia 16
IE - Irlanda 12
SG - Singapore 11
SE - Svezia 8
CN - Cina 7
FR - Francia 7
RU - Federazione Russa 7
DE - Germania 4
HK - Hong Kong 3
VN - Vietnam 3
UA - Ucraina 2
AE - Emirati Arabi Uniti 1
BE - Belgio 1
CA - Canada 1
GB - Regno Unito 1
IN - India 1
KZ - Kazakistan 1
LU - Lussemburgo 1
MY - Malesia 1
Totale 131
Città #
Dublin 12
Ashburn 7
Singapore 7
Dallas 6
San Jose 5
Beijing 4
Cassino 4
Chandler 4
Milan 4
Hong Kong 3
Rome 3
Boardman 2
Ho Chi Minh City 2
Munich 2
Salerno 2
The Dalles 2
Almaty 1
Ann Arbor 1
Brooklyn 1
Brussels 1
Chengdu 1
Haiphong 1
Hefei 1
Lawrence 1
London 1
Los Angeles 1
Luxembourg 1
Moscow 1
Mumbai 1
New York 1
Orem 1
Orta di Atella 1
Prince George 1
Princeton 1
San Francisco 1
Santa Clara 1
Secondigliano 1
Vichy 1
Totale 91
Nome #
Physical mechanisms for gate damage induced by heavy ions in SiC power MOSFET 143
Totale 143
Categoria #
all - tutte 600
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 600


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2020/20211 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
2021/20228 0 0 0 1 1 0 0 0 3 0 1 2
2022/202332 2 4 1 1 1 9 0 1 13 0 0 0
2023/202417 1 1 2 0 4 3 3 0 1 0 0 2
2024/202527 0 0 1 1 2 3 3 3 10 0 3 1
2025/202649 4 4 7 5 7 2 10 1 4 4 1 0
Totale 143