DI PASQUALE, Antonio
 Distribuzione geografica
Continente #
EU - Europa 57
NA - Nord America 35
AS - Asia 18
Totale 110
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 35
IT - Italia 16
IE - Irlanda 12
SE - Svezia 8
SG - Singapore 7
FR - Francia 6
RU - Federazione Russa 6
CN - Cina 5
DE - Germania 4
HK - Hong Kong 2
UA - Ucraina 2
VN - Vietnam 2
AE - Emirati Arabi Uniti 1
BE - Belgio 1
GB - Regno Unito 1
LU - Lussemburgo 1
MY - Malesia 1
Totale 110
Città #
Dublin 12
Dallas 6
Singapore 6
Ashburn 5
Cassino 4
Chandler 4
Milan 4
Rome 3
Beijing 2
Boardman 2
Ho Chi Minh City 2
Hong Kong 2
Munich 2
Salerno 2
The Dalles 2
Ann Arbor 1
Brooklyn 1
Brussels 1
Chengdu 1
Hefei 1
Lawrence 1
London 1
Los Angeles 1
Luxembourg 1
New York 1
Orta di Atella 1
Princeton 1
San Francisco 1
Santa Clara 1
Secondigliano 1
Totale 73
Nome #
Physical mechanisms for gate damage induced by heavy ions in SiC power MOSFET 122
Totale 122
Categoria #
all - tutte 535
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 535


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2020/20214 0 0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 1
2021/20228 0 0 0 1 1 0 0 0 3 0 1 2
2022/202332 2 4 1 1 1 9 0 1 13 0 0 0
2023/202417 1 1 2 0 4 3 3 0 1 0 0 2
2024/202527 0 0 1 1 2 3 3 3 10 0 3 1
2025/202628 4 4 7 5 7 1 0 0 0 0 0 0
Totale 122