DI PASQUALE, Antonio
DI PASQUALE, Antonio
Dipartimento di Ingegneria Civile e Meccanica
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Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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Physical mechanisms for gate damage induced by heavy ions in SiC power MOSFET | 1-gen-2020 | Busatto, G.; Di Pasquale, A.; Marciano, D.; Palazzo, S.; Sanseverino, A.; Velardi, F. |