Sfoglia per Rivista IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
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An Improved Test Structure for Recombination Lifetime Profile Measurements in Very Thick Silicon Wafers
1999-01-01 S., Daliento; Sanseverino, Annunziata; P., Spirito
Characterization of Recombination Centers in Si Epilayers after He Implantation by Direct Measurement of Local Lifetime Distribution with the AC Lifetime Profiling Technique
2004-01-01 P., Spirito; S., Daliento; Sanseverino, Annunziata; L., Gialanella; M., Romano; B. N., Limata; R., Carta; L., Bellemo
High voltage bipolar mode JFET with normally-Off characteristics
1985-01-01 S., Bellone; A., Caruso; P., Spirito; G., Vitale; Busatto, Giovanni; G., Cocorullo; G., Ferla; S., Musumeci
Recombination Centers Identification in Very Thin Silicon Epitaxial Layers via Lifetime Measurements
1998-01-01 S., Daliento; Sanseverino, Annunziata; P. M., Sarro; P., Spirito; L., Zeni
Recombination lifetime profiling in very thin Si epitaxial layers used for bipolar VLSI
1989-01-01 P., Spirito; S., Bellone; C., Ransom; Busatto, Giovanni; G., Cocorullo
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