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The paper investigates the high-frequency distribution of
the current density in Through-Silicon Vias made by bundles
of carbon nanotubes (CNTs). These bundles are described by
means of a recently proposed circuit model which, in spite of
its simplicity, accounts for the kinetic and quantum
phenomena involved in the electrical propagation along CNTs
and includes the effects of size, temperature and chirality. The
particular electrical properties of such a new material make the
CNT-based TSVs quite insensitive to skin-effect and
proximity effect. This is shown with reference to a case-study
of a TSV pair for the technology node of 22 nm, for which the
effects of frequency and temperature variation are analyzed.
Electrical Behaviour of Carbon Nanotube Through-Silicon Vias
The paper investigates the high-frequency distribution of
the current density in Through-Silicon Vias made by bundles
of carbon nanotubes (CNTs). These bundles are described by
means of a recently proposed circuit model which, in spite of
its simplicity, accounts for the kinetic and quantum
phenomena involved in the electrical propagation along CNTs
and includes the effects of size, temperature and chirality. The
particular electrical properties of such a new material make the
CNT-based TSVs quite insensitive to skin-effect and
proximity effect. This is shown with reference to a case-study
of a TSV pair for the technology node of 22 nm, for which the
effects of frequency and temperature variation are analyzed.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11580/18419
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
