CANALE PAROLA, Giovanni
CANALE PAROLA, Giovanni
Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell'Informazione "Maurizio Scarano"
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A Simple and Accurate Software Technique for the Dynamic Measurement of the Current in Fast Switching Devices using a Resistive Shunt
2026-01-01 Busatto, G.; Sanseverino, A.; Palazzo, S.; Velardi, F.; Martano, E.; Canale Parola, G.; Abbate, C.
A Simple Thermal Model for Junction and Hot Spot Temperature Estimation of 650 V GaN HEMT during Short Circuit
2024-01-01 Palazzo, S.; Sanseverino, A.; Canale Parola, G.; Martano, E.; Velardi, F.; Busatto, G.
Burnout susceptibility of silicon power diodes when exposed to 14 MeV neutrons
2026-01-01 Canale Parola, G.; Palazzo, S.; Busatto, G.; Sanseverino, A.; Martano, E.; Alberton, S. G.; Wyss, J.; Velardi, F.
The behaviour of 350 V GaN HEMTs during heavy ion irradiations
2025-01-01 Velardi, F.; Canale Parola, G.; Palazzo, S.; Martano, E.; Sanseverino, A.; Silvestrin, L.; Abbate, C.; Busatto, G.
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| A Simple and Accurate Software Technique for the Dynamic Measurement of the Current in Fast Switching Devices using a Resistive Shunt | 1-gen-2026 | Busatto, G.; Sanseverino, A.; Palazzo, S.; Velardi, F.; Martano, E.; Canale Parola, G.; Abbate, C. | |
| A Simple Thermal Model for Junction and Hot Spot Temperature Estimation of 650 V GaN HEMT during Short Circuit | 1-gen-2024 | Palazzo, S.; Sanseverino, A.; Canale Parola, G.; Martano, E.; Velardi, F.; Busatto, G. | |
| Burnout susceptibility of silicon power diodes when exposed to 14 MeV neutrons | 1-gen-2026 | Canale Parola, G.; Palazzo, S.; Busatto, G.; Sanseverino, A.; Martano, E.; Alberton, S. G.; Wyss, J.; Velardi, F. | |
| The behaviour of 350 V GaN HEMTs during heavy ion irradiations | 1-gen-2025 | Velardi, F.; Canale Parola, G.; Palazzo, S.; Martano, E.; Sanseverino, A.; Silvestrin, L.; Abbate, C.; Busatto, G. |