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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
A Novel Experimental Set-Up for Detecting Gate Leakage Current Increase During Heavy Ions Exposure of Power MOSFETs 1-gen-2007 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; A., Cascio; G., Curr; F., Frisina
An original approach to study the charge generation mechanisms in Power MOSFETs during heavy ions exposure 1-gen-2004 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; G., Curr; A., Cascio; F., Frisina; A., Candelori
Charge generation mechanisms in low-voltage power MOSFETs during radiation exposure 1-gen-2003 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; A., Candelori
Experimental Study of the Damages Created in the Gate Oxide of Medium Voltage Power MOSFET During Heavy Ions Irradiation 1-gen-2009 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; A. PORZIO A., Sanseverino; Velardi, Francesco; A., Cascio; G., Currò; F., Frisina
Experimental study on the effect of the gate oxide thickness and the epitaxial layer resistivity on the reliability of low blocking voltage power VDMOSFET during heavy ions exposure 1-gen-2004 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata; A., Candelori; G., Curr; A., Cascio; F., Frisina
IBICC Sensitivity Map of a Power MOSFET with the SIRAD IEEM 1-gen-2011 Busatto, Giovanni; D., Bisello; P., Giubilato; Iannuzzo, Francesco; S., Mattiazzo; D., Pantano; Sanseverino, Annunziata; L., Silvestrin; M., Tessaro; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery
Latent Damages in Gate Oxide of Medium Voltage Power MOSFET 1-gen-2008 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; A. PORZIO A., Sanseverino; Velardi, Francesco; A., Cascio; G., Currò; F., Frisina
Single Event Effects Induced by Heavy Ion Irradiation in SiC Power MOSFETs 1-gen-2013 Abbate, Carmine; Busatto, Giovanni; A., Cascio; G., Currò; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; S., Mattiazzo; M., Tessaro; L., Silvestrin
Technology Changes Influence on the Reliability of Medium Voltage Power MOSFET’s in Radiation Environment 1-gen-2006 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Porzio, A; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco; Cascio, A; Curro', G; Frisina, F.
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Tipologia
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Autore
  • BUSATTO, Giovanni 9
  • VELARDI, Francesco 9
  • SANSEVERINO, Annunziata 5
  • WYSS, JEFFERY 3
  • ABBATE, Carmine 1
Data di pubblicazione
  • 2013 1
  • 2011 1
  • 2009 1
  • 2008 1
  • 2007 1
  • 2006 1
  • 2004 2
  • 2003 1
Editore
  • ", INFN-LNL Activity Report n. 23... 1
  • CLEUP 1
Lingua
  • eng 6
Accesso al fulltext
  • no fulltext 9