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Effect of the Epitaxial Layer Features on the Reliability of Medium Blocking Voltage Power VDMOSFET during Heavy Ion Exposure 1-gen-2003 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata; A., Candelori; G., Curr; A., Cascio; F., Frisina; A., Cavagnoli
Charge generation mechanisms in low-voltage power MOSFETs during radiation exposure 1-gen-2003 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; A., Candelori
Reliability of Medium Blocking Voltage Power VDMOSFET in Radiation Environment 1-gen-2003 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata; A., Candelori; G., Curro'; A., Cascio; F., Frisina
Analysis and optimisation through innovative driving strategy of high power IGBT performances/EMI reduction trade-off for converter systems in railway applications 1-gen-2004 Busatto, Giovanni; L., Fratelli; Abbate, Carmine; R., Manzo; Iannuzzo, Francesco
Physical CAD Model for High-Voltage IGBTs Based on Lumped-Charge Approach 1-gen-2004 Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni
Experimental optimisation of high power IGBT modules performances working at the edges of their safe operating area 1-gen-2004 Abbate, C; Busatto, Giovanni; Manzo, R; Fratelli, L; Cascone, B; Giannini, G; Iannuzzo, Francesco
Experimental Study on the Reliability of Low Blocking Voltage Power VDMOSFET During Heavy Ion Exposure 1-gen-2004 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata; A., Candelori; G., Curro'; A., Cascio; F., Frisina
Una antenna Uda-Yagi adattativa utilizzante un algoritmo particle swarm con particelle a dinamica variabile 1-gen-2004 Iannuzzo, Francesco; Migliore, Marco Donald; Panariello, Gaetano; Pinchera, Daniele; Schettino, Fulvio
Experimental study on the effect of the gate oxide thickness and the epitaxial layer resistivity on the reliability of low blocking voltage power VDMOSFET during heavy ions exposure 1-gen-2004 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata; A., Candelori; G., Curr; A., Cascio; F., Frisina
Driving optimization of high voltage IGBT modules for traction application 1-gen-2004 Abbate, C.; Manzo, R.; Iannuzzo, Francesco; Cascone, B.; Busatto, Giovanni; Giannini, G.
Innovative driving strategies for new generation high power igbt modules 1-gen-2004 Abbate, C.; Busatto, Giovanni; Fratelli, L.; Iannuzzo, Francesco; Manzo, R.
An original approach to study the charge generation mechanisms in Power MOSFETs during heavy ions exposure 1-gen-2004 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; G., Curr; A., Cascio; F., Frisina; A., Candelori
Cosmic ray effects on power MOSFET 1-gen-2004 Busatto, Giovanni; A., Cascio; G., Curro'; F., Frisina; Iannuzzo, Francesco; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; Velardi, Francesco
The Role of the Parasitic BJT Parameters on the Reliability of New Generation Power MOSFET during Heavy Ion Exposure 1-gen-2004 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; A., Porzio; Sanseverino, Annunziata; G., Curro'; A., Cascio; F., Frisina
Series Connection of High Power IGBT modules for traction applications 1-gen-2005 Abbate, C; Busatto, Giovanni; Fratelli, L; Iannuzzo, Francesco; Cascone, B; Giannini, G.
FPGA implementation of the race-control algorithm for the full-bridge passive resonant commutated poles converter 1-gen-2005 Iannuzzo, Francesco
EMI Characterisation of high power IGBT modules For Traction Application 1-gen-2005 Busatto, Giovanni; Abbate, C.; Iannuzzo, Francesco; Fratelli, L.; Cascone, B.; Giannini, G.
EMI Analysis in High power Converters for Traction Application 1-gen-2005 Busatto, Giovanni; Abbate, C; Fratelli, L; Iannuzzo, Francesco; Giannini, G; Cascone, B.
Experimental and 3D Simulation Study on the Role of the Parasitic BJT Activation in SEB/SEGR of Power MOSFET 1-gen-2005 A., Porzio; Busatto, Giovanni; Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Curro'
Experimental and Numerical investigation about SEB/SEGR of Power MOSFET 1-gen-2005 Busatto, Giovanni; A., Porzio; Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Sanseverino, Annunziata; G., Curro'
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