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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
A lumped charge model for GTOs suitable for circuit simulation 1-gen-1999 Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni
Lumped Charge PSPICE Model for High–Voltage IGBTs 1-gen-2000 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; P., Grimaldi
A non-destructive technique for magnetic imaging of current distributions inside power modules 1-gen-2000 Pepe, G. P.; Ruosi, A.; Valentino, M.; Peluso, G.; Busatto, Giovanni; Migliore, Marco Donald
IGBT modules reliability in traction: experimental results on AWCO facility 1-gen-2000 Cascone, B.; Fratelli, L.; Busatto, Giovanni; Giannini, G.
A general methodology for circuit simulation of high-voltage power devices 1-gen-2000 Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni
Experimental measurement of recombination lifetime in proton irradiated power devices 1-gen-2000 Daliento, S.; Sanseverino, Annunziata; Spirito, P.; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery
Non-destructive detection of current in power modules by means of magnetic measurements 1-gen-2000 Busatto, Giovanni; Pepe, G. P.; Ruosi, A.; Valentino, M.
Magnetic field imaging of current distributions in IGBT power modules 1-gen-2000 Pepe, G. P.; Ruosi, A.; Valentino, M.; Busatto, Giovanni
Experimental Measurements of Recombination Lifetime in Proton Irradiated Power Devices 1-gen-2000 S., Daliento; Sanseverino, Annunziata; P., Spirito; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery
Non-destructive tester for single event burnout of power diodes 1-gen-2001 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery
Measurement of the BJT activation current during the reverse recovery of power MOSFET’s drain-source diode 1-gen-2001 Iannuzzo, Francesco; G. V., Persiano; Busatto, Giovanni
An Integrated milli-metric Cell Actuator: Design and Test 1-gen-2001 Busatto, Giovanni; DI STEFANO, Roberto; M., Scarano
Reverse bias instabilities in bipolar power transistor with cellular layout 1-gen-2001 Busatto, Giovanni; Fratelli, Luigi; Vitale, Gianfranco
The Reliability of New Generation Power MOSFETs in Radiation Environment 1-gen-2002 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; A., Kaminksy
Experimental Study of Charge Generation Mechanisms in Power MOSFETs due to Energetic Particle Impact 1-gen-2002 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; A., Candelori
An On-Chip Non Invasive Integrated Current Sensing 1-gen-2002 Busatto, Giovanni; R., LA CAPRUCCIA; Iannuzzo, Francesco; Velardi, Francesco; R., Roncella
An On-Chip Non Invasive Integrated Current Sensing 1-gen-2002 Busatto, Giovanni; La, Capruccia; Iannuzzo, Velardi; Roncella,
An Experimental Classification of Drain and Gate Current Pulses in Low-Voltage Power MOSFETs During Radiation Exposure 1-gen-2002 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata
Non_Destructive High Temperature Characterisation of High-Voltage IGBTs 1-gen-2002 Busatto, Giovanni; B., Cascone; L., Fratelli; M., Balsamo; Iannuzzo, Francesco; Velardi, Francesco
Experimental study of charge generation mechanisms in power MOSFETs due to energetic particle impact 1-gen-2003 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; A., Candelori
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