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PSPICE model for GTOs 1-gen-1998 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; L., Fratelli
A circuit model for GTOs based on lumped charge approach 1-gen-1998 Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni
Effects of heavy ion impact on power diodes 1-gen-1999 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Wyss, Jeffery; D., Pantano; D., Bisello
Numerical Analysis of the Activation of the Parasitic BJT during the Reverse Recovery of Power MOSFET Internal Diode 1-gen-1999 G. V., Persiano; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; P., Spirito
EFFETCS OF HEAVY ION IMPACT ON POWER DIODES 1-gen-1999 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Wyss, Jeffery; Pantano, D.; Bisello, D.
Experimental and numerical investigation on MOSFET’s failure during reverse recovery of its internal diode 1-gen-1999 Busatto, Giovanni; Persiano, G. V.; Iannuzzo, Francesco
A lumped charge model for GTOs suitable for circuit simulation 1-gen-1999 Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni
A general methodology for circuit simulation of high-voltage power devices 1-gen-2000 Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni
Lumped Charge PSPICE Model for High–Voltage IGBTs 1-gen-2000 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; P., Grimaldi
Measurement of the BJT activation current during the reverse recovery of power MOSFET’s drain-source diode 1-gen-2001 Iannuzzo, Francesco; G. V., Persiano; Busatto, Giovanni
Non-destructive tester for single event burnout of power diodes 1-gen-2001 Busatto, Giovanni; Iannuzzo, Francesco; Velardi, Francesco; Wyss, Jeffery
An Experimental Classification of Drain and Gate Current Pulses in Low-Voltage Power MOSFETs During Radiation Exposure 1-gen-2002 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata
An On-Chip Non Invasive Integrated Current Sensing 1-gen-2002 Busatto, Giovanni; R., LA CAPRUCCIA; Iannuzzo, Francesco; Velardi, Francesco; R., Roncella
Non_Destructive High Temperature Characterisation of High-Voltage IGBTs 1-gen-2002 Busatto, Giovanni; B., Cascone; L., Fratelli; M., Balsamo; Iannuzzo, Francesco; Velardi, Francesco
Experimental Study of Charge Generation Mechanisms in Power MOSFETs due to Energetic Particle Impact 1-gen-2002 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; A., Candelori
The Reliability of New Generation Power MOSFETs in Radiation Environment 1-gen-2002 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; A., Kaminksy
Characterisation of High-Voltage IGBT Modules at High Temperature and High Currents 1-gen-2003 Busatto, Giovanni; Abbate, C.; Cascone, B.; Manzo, R.; Fratelli, L.; Giannini, G.; Iannuzzo, Francesco; Velardi, Francesco
Charge generation mechanisms in low-voltage power MOSFETs during radiation exposure 1-gen-2003 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; A., Candelori
Effect of the Epitaxial Layer Features on the Reliability of Medium Blocking Voltage Power VDMOSFET during Heavy Ion Exposure 1-gen-2003 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; Sanseverino, Annunziata; A., Candelori; G., Curr; A., Cascio; F., Frisina; A., Cavagnoli
Experimental study of charge generation mechanisms in power MOSFETs due to energetic particle impact 1-gen-2003 Velardi, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Busatto, Giovanni; Wyss, Jeffery; A., Candelori
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